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中村修二（Shuji Nakamura）

美籍日裔材料学家，诺贝尔物理学奖得主，美国国家科学院院士，加利福尼亚大学圣巴巴拉分校教授
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中村修二（Shuji Nakamura）

中村修二（日文平假名：なかむら しゅうじ，英文名：Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本爱媛县，美籍日裔材料学家，“蓝光LED”之父，诺贝尔物理学奖得主，美国国家工程院院士，加利福尼亚大学圣巴巴拉分校教授。

中村修二（Shuji Nakamura）1954年5月22日生于日本爱媛县西宇和郡四ツ浜村（今伊方町）的渔民家庭，日裔美籍电子工程学家、半导体科学家，美国加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）材料系教授，2014年诺贝尔物理学奖得主，因独立发明高亮度氮化镓（GaN）基蓝光LED与紫激光二极管、推动半导体照明产业化而享誉全球，2005年加入美国国籍。

中村修二1977年获德岛大学电子工程学士学位，1979年获硕士学位后入职德岛县日亚化学工业株式会社。早期他深耕砷化镓、磷化镓LED材料研究，因公司保密政策十年未发表论文，却在1988-1989年赴美国佛罗里达大学进修时掌握金属有机物化学气相沉积（MOCVD）核心技术。当时氮化镓因晶格失配、P型掺杂难题被学界视为“禁区”，他多次向公司申请设备，在创始人小川信雄支持下组建实验室，开启攻坚。

1990-1993年是他的科研突破期。1990年他发明低温氮化镓缓冲层技术，解决蓝宝石衬底与氮化镓晶格失配问题，实现高质量氮化镓薄膜生长；1992年攻克P型氮化镓掺杂难题，通过热退火激活镁掺杂；1993年成功研发高亮度蓝光LED并实现量产，填补三原色中蓝光空白，为白光LED照明与全色显示奠定基础。1995年他进一步开发出氮化镓基紫激光二极管，推动蓝光存储、激光显示等产业发展。然而，日亚化学仅以2万日元奖金打发他的重大发明，这成为他后续维权的导火索。

1999年中村修二离职赴美，受聘于加州大学圣巴巴拉分校，2000年起任材料系教授，2001年因专利报酬问题起诉日亚化学，历经多年诉讼最终获高额赔偿，该案件推动日本企业科研报酬制度改革。2008年他与同事联合创办Soraa公司，专注氮化镓衬底固态照明技术研发。他的成就获国际广泛认可，1996年获仁科芳雄奖，2006年获千禧技术奖，2014年与赤崎勇、天野浩共享诺贝尔物理学奖，获奖理由是“发明高效蓝光LED，带来照明领域根本性转变，催生更高效持久的光源，助力全球节能减排”。此外，他还当选美国国家工程院院士，获富兰克林奖章、哈维奖等多项荣誉。

中村修二以“草根科研”的韧性突破技术垄断，其成果不仅改变人类照明方式，更推动显示、通信、存储等多领域变革，诠释了独立探索对科技进步的核心价值。
此信息最后更新时间为：2026-1-5 11:37
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