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乔治·史密斯(George Smith,1930年5月10日—2025年5月28日),美国物理学家,出生于纽约,1955年获宾夕法尼亚大学学士学位,1959年获芝加哥大学博士学位。曾任贝尔实验室设备概念部门负责人,从事半导体电学性质研究。1959年进入贝尔实验室工作,1964年担任设备概念部门负责人。1969年与威拉德·博伊尔共同发明电荷耦合器件(CCD)图像传感器,该技术通过光敏细胞网格将光信号转化为电信号,成为数码相机技术的核心突破。职业生涯发表40余篇论文并获31项美国专利,2002年获美国电气与电子工程师学会设立的以他命名的奖项。2009年因CCD发明与应用贡献,与高锟、博伊尔共同获诺贝尔物理学奖。2025年5月28日在新泽西州逝世。 # 乔治·史密斯:CCD图像传感器的联合发明者与数字成像先驱 乔治·埃尔伍德·史密斯(George Elwood Smith),1930年5月10日生于美国纽约州白原市,美国应用物理学家,电荷耦合器件(CCD)图像传感器的联合发明者,2009年诺贝尔物理学奖得主,2025年5月28日于新泽西州巴尼加特镇区逝世,享年95岁。他的研究为数字成像技术奠定核心基础,推动摄影、天文观测、医疗影像等领域实现革命性变革,深刻影响人类信息获取与传播方式。 史密斯的成长与求学之路充满转折。1948年高中毕业后,他加入美国海军担任气象员,服役四年,期间参与朝鲜战争相关任务,同时在迈阿密大学修读课程,为后续学业铺垫基础。1952年,凭借退伍军人教育福利(GI Bill),他进入宾夕法尼亚大学主修物理,1955年以优异成绩获学士学位,随后进入芝加哥大学攻读博士,1959年获物理学博士学位,期间获美国国家科学基金会与贝尔实验室资助,毕业后直接加入贝尔实验室,开启科研生涯。 在贝尔实验室,史密斯早期专注半金属电子特性研究,聚焦铋及铋 - 锑合金的微波共振、磁热电效应等,积累扎实的半导体物理基础。1964年,他出任器件概念部门负责人,致力于下一代固态器件研发,研究涵盖结型激光器、半导体铁电体、电致发光材料等多个前沿领域,为后续CCD发明积累丰富技术储备。 1969年,史密斯与同事威拉德·博伊尔在一小时头脑风暴中,基于光电效应与电荷转移原理,构思出CCD图像传感器,该器件能将光信号转化为电荷信号并有序传输读取,1970年两人在《贝尔系统技术期刊》发表相关论文,标志着数字成像技术的重大突破。此后,CCD逐步应用于数字相机、天文望远镜、医用内窥镜等设备,彻底颠覆传统胶片成像模式,成为现代数字成像产业的核心基石。 史密斯在贝尔实验室任职至1986年,退休前担任超大规模集成电路(VLSI)器件部门负责人,期间发表40余篇学术论文,获31项美国专利,推动CCD及相关半导体技术的商业化进程。他的学术荣誉众多,1973年获富兰克林研究所巴兰廷奖章,1974年获IEEE莫里斯·利布曼奖,2006年获查尔斯·斯塔克·德雷珀奖,2009年因“发明成像半导体电路——CCD传感器”与博伊尔、高锟共享诺贝尔物理学奖,2017年获伊丽莎白女王工程奖。 史密斯的科研生涯,以简洁高效的创新突破技术瓶颈,将理论探索与工程实践完美融合。他的贡献不仅推动应用物理学与电子工程发展,更重塑了全球成像行业生态,为人类社会迈入数字信息时代提供关键技术支撑,成为科研工作者追求创新、服务社会的杰出典范。 |