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若列斯·阿尔费罗夫(英语:Zhores I. Alferov,俄语:Жореса Алферова,1930年3月15日—2019年3月2日),出生于苏联维捷布斯克(现白俄罗斯维捷布斯克),俄罗斯籍,半导体物理学家,俄罗斯科学院院士,中国科学院外籍院士,美国国家科学院外籍院士,美国国家工程院外籍院士,生前是圣彼得堡科学院大学校长。 阿尔费罗夫于1952年毕业于列宁格勒电工学院(现圣彼得堡国立电子技术大学);1953年—1964年任约飞物理技术研究所实验研究员;1961年获得副博士学位;1961年—1987年担任约飞物理技术研究所实验室主任;1964年—1967年任约飞物理技术研究所高级研究员;1970年获得约飞物理技术研究所博士学位;1972年当选为苏联科学院通讯院士;1979年晋升为苏联科学院院士;1987年任约飞物理技术研究所所长;1991年—2017年任俄罗斯科学院副院长;2019年3月2日因急性心肺衰竭在圣彼得堡逝世,享年88岁。 若雷斯·阿尔费罗夫:半导体异质结构之父与信息时代的奠基者 若雷斯·伊万诺维奇·阿尔费罗夫(Zhores Ivanovich Alferov)是俄罗斯半导体物理学泰斗,1930年3月15日生于白俄罗斯维捷布斯克的革命家庭,父亲曾是红军骑兵军官,母亲是教师。2019年3月2日,他因急性心肺衰竭在圣彼得堡逝世,享年88岁。他以III - V族半导体异质结构研究开创现代光电子学,与赫伯特·克勒默、杰克·基尔比共获2000年诺贝尔物理学奖,其室温连续运转半导体激光器等成果,为光纤通信、互联网等信息技术筑牢根基,被誉为“异质结构物理学与电子学的创立者”。 阿尔费罗夫的科研之路始于列宁格勒(今圣彼得堡)。1952年,他毕业于列宁格勒乌里扬诺夫电子技术学院电子系,次年进入列宁格勒约飞物理技术研究所(LFTI),师从半导体物理权威弗拉基米尔·图奇克维奇,早期投身锗半导体器件研发。1958年,他与团队开发锗晶体管新技术,1961年研制大功率锗整流器,为苏联功率半导体电子学发展奠定基础。1962年,他转向III - V族半导体异质结构研究,这一抉择成为其科研生涯的关键转折。当时传统同质结构半导体器件性能受限,异质结构研究尚处萌芽,他却敏锐察觉到其在光电子与高速电子领域的巨大潜力。 1963年,阿尔费罗夫提出半导体双异质结构理论,1966年发表异质结超注入研究成果,为高效载流子限制与注入提供理论支撑。1970年,他与团队攻克核心技术难关,成功研制世界首只可室温连续运转的镓铝砷(GaAlAs/GaAs)半导体激光器,解决了此前半导体激光器需低温、脉冲运转的瓶颈,直接推动光纤通信产业化,开启信息传输革命。他还开发异质结高速晶体管,大幅提升电子器件开关速度,为现代高速计算与无线通信提供核心元件;其异质结太阳能电池研究,也为高效光伏技术发展指明方向。 1972年,阿尔费罗夫当选苏联科学院通讯院士,1979年晋升院士,1987年起担任约飞物理技术研究所所长,1990年后历任苏联科学院、俄罗斯科学院副院长,推动科研资源整合与国际合作。他长期深耕低维与纳米异质结构前沿,拓展量子阱、超晶格等材料研究,为量子电子学与纳米科技奠基。同时,他积极投身教育,1973年起任列宁格勒电子工程大学光电子学教授,培养大批半导体领域人才,构建起完整的科研与教育传承体系。 阿尔费罗夫的成果重塑了现代电子与光电子产业格局。他的异质结构技术成为光纤通信、光盘存储、激光打印、智能手机等设备的核心基础,支撑全球互联网与移动通信的高速发展。他还推动中俄科技合作,2006年当选中国科学院外籍院士,2015年获中华人民共和国国际科学技术合作奖,主导建立“阿尔费罗夫中俄联合实验室”,助力中国光通信与半导体领域研究提升。 他一生荣誉等身,除诺贝尔奖外,还获苏联列宁奖(1972)、苏联国家奖(1984)、俄罗斯国家奖(2001)等,被多国科学院聘为外籍院士。他将诺奖奖金用于资助青年科研人员,彰显对科学传承的重视。阿尔费罗夫以数十年坚守,用异质结构技术搭建起基础物理与产业应用的桥梁,其科研精神与开拓性成果,持续影响半导体、光电子与信息技术的发展,成为科技史上的不朽丰碑。 |