王鼎盛

王鼎盛中国科学院院士 重庆市南川区人物

王鼎盛，1940年10月出生于重庆南川，物理学家，中国科学院院士，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。1962年毕业于北京大学物理系，1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。

主要从事计算物理研究。与他人合作，从密度泛函理论出发，用表面能带方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩，后为实验所证实发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效配位作用分析方法被同行广泛使用，还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算，比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论，对我国计算材料学的发展做出了贡献。2005年当选为中国科学院院士。

人物经历

1940年10月，王鼎盛出生于重庆市南川县。初中就读于南川中学，当时整个南川还没有高中，他初中毕业那年，正好南川设立高中，于是成为南川第一批高中生之一。

1962年，从北京大学物理系本科毕业，毕业论文指导老师是胡国璋。

1966年，从中国科学院物理研究所研究生毕业，指导老师是潘孝硕教授。

1967年—1978年，担任中国科学院物理研究所实习研究员。

1979年—1982年，担任中国科学院物理研究所助理研究员。

1979年2月，赴美国西北大学访问。

1982年—1985年，担任中国科学院物理研究所副研究员。

1985年，担任中国科学院物理研究所研究员。

1986年—1994年，担任国家自然科学基金委员会数理学部主任。

1987年—1990年，担任中国科学院国家表面物理实验室主任。

2005年，当选为中国科学院院士。

科研成就/科研综述

王鼎盛的三项代表性成果是：

（1）1980年代对亚单层碱金属吸附理论的发展；

（2）1980年代初对界面磁性和表面巨磁矩理论的研究成果；和

（3）1990年代初对表面磁各向异性能和自旋轨道耦合效应理论的研究成果。

王鼎盛从密度泛函理论出发，用表面能带方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在块体材料中的磁矩，后为实验所证实。发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效配位作用分析方法被同行广泛使用，还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一性原理出发对表面吸附层的电子结构进行了计算，比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题，开辟了从第一性原理出发计算晶体非线性光学性质的理论 。

教学思想

2016年6月20日，王鼎盛在中国科学院大学玉泉路校区教学大楼505教室，为参加“中学教师再回大学”活动的中学物理教师们作了一场题为“求学和从教体会”的讲座。他从自己的第一视角来反映良师之于学生的重要性。首先给出自己求学的几点教益：“知识更新：自主选择；课题选择：能力加价值；研究方法：能自立发展；研究技能：实验加理论；实验结果：严谨能重复；思考结论：经得起质疑”。接着就自己的从教经验，提出学生培养的要求：要超过“模仿”，至少“贯通”，力求“发展”。在培养方法上提倡“学校犹水也，师生犹鱼也，其行动犹游泳也，大鱼前导，小鱼尾随，是从游也。从游既久，其濡染观摩之效不求而至，不为而成。”

指导学生

截至2011年4月，王鼎盛所指导的十多位学生中大多数已经成为各自学科领域的领军人物。

　　相关院校：

北京大学

　　同年(公元1962年)出生的名人：孙昌璞